ISSN 1009-5624 CN 10-2021/TQ 主管:中国乐凯集团有限公司 主办:北京乐凯科技有限公司
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ISSN 1009-5624 CN 10-2021/TQ 主管:中国乐凯集团有限公司 主办:北京乐凯科技有限公司
【摘要】结合高压 IGBT 器件用 200mm 硅外延材料的特性要求，从表面缺陷控制、滑移线控制，以及产品电阻率纵向结构分布控制等方面，研究了外延材料制备过程中的各项工艺参数，优化了高压 IGBT器件用大尺寸硅外延片的制备方法。通过研究生长温度与表面缺陷的对应性，降低了批产过程中的缺陷废片率；通过研究温场分布趋势与外延片表面滑移线的对应关系，减少了片内滑移线的产生；通过多层外延的控制模式，并采用变掺杂的工艺条件，实现了外延片电阻率纵向结构的特殊分布。
