【摘要】针对碳化硅（ＳｉＣ）晶体生长过程中石墨坩埚腐蚀呈现的复杂机制问题，本研究系统分析了物理气相传输（ＰＶＴ）法生长条件下 ＳｉＣ 粉料热分解行为、硅蒸气与石墨坩埚的界面反应动力学特征，以及不同孔隙结构的等静压石墨（ＧＣＡＳ１、ＧＣＡＳ２、ＳＧＬ６５１０）在１ ８００ ℃硅蒸气环境中的渗透行为差异。 通过电子探针显微分析仪（ＥＰＭＡ）和拉曼光谱表征手段，揭示了孔隙率、孔径分布与硅蒸气渗透深度之间的关系，证实了孔隙结构、界面结合强度是影响腐蚀的关键因素，并提出减少石墨坩埚腐蚀的策略，即采用细颗粒原料制备高密度、高石墨化度坩埚材料；建立准平衡态生长温度场调控模型；设计多孔排气通道结构；开发碳化钽涂层技术。 本文旨在为ＳｉＣ 晶体生长技术的优化和工业化应用提供理论支持和实践指导。