ISSN 1009-5624 CN 10-2021/TQ 主管:中国乐凯集团有限公司 主办:北京乐凯科技有限公司
【摘要】针对传统物理气相传输(PVT)法碳化硅晶体生长依赖人工操作导致的稳定性差、一致性低、成本高等问题,本研究提出将自动控制技术应用于该工艺过程,通过构建多传感器实时监测系统(包含温度、压力、晶体厚度等参数),结合改进的比例-积分-微分(PID)控制策略(引入降温速率补偿项),实现了碳化硅晶体生长全过程的自动化调控。 结果表明:与传统人工控制相比,该技术能够有效降低籽晶温度波动幅度,将晶体厚度最大偏差控制在±0.48 mm,并且能够提升生长成功率,降低综合生产成本,有效提升晶体生长质量、效率及稳定性。