ISSN 1009-5624 CN 10-2021/TQ    主管:中国乐凯集团有限公司    主办:北京乐凯科技有限公司

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首页 > 刊期 > 2025 > 6期 > 综合:探索与发现
一种 Intel⁃S10 的 DDR 控制器自检方法
章  伟,王红展

【摘要】为了解决现代计算机系统中双倍数据速率( double data rate,DDR)内存条稳定性与性能的问题,本文提出了一种并行压力自检方法,以提升 DDR 内存的商用质量。 DDR 自检测试是确保内存正常工作的关键工序,它不仅能识别和解决潜在的内存问题,还能提高系统的可靠性和稳定性。 传统的 DDR 自检测试一般采用遍历地址线和数据线的方法,这种方法较为简单,仅能发现易复现的故障,无法识别随机异常等较难复现的故障。 为此,本文利用现场可编程门阵列( field programmable gate array,FPGA)内部实例化DDR 知识产权模块(intellectual property,IP),实现了一种新的 DDR 高速内存管理方法。 分析结果表明:该方法对提升产品的商用质量具有重要的参考价值。


【关键字】现场可编程门阵列(FPGA);内存控制器;双倍数据速率(DDR)自检
【PDF】