【摘要】针对合金量子点（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔｓ，ＱＤｓ）的制备及其光电性能评估问题，本文提出了一种化学合成方法，通过高温注入法成功制备了具有核壳结构的ＱＤｓ。具体包括制备ＣｄＺｎＳｅ 核前驱体，以及包覆ＺｎＳｅ 和ＺｎＳｅＳ 壳层。结果表明：采用高温包覆的ＱＤｓ 在缺陷态密度上明显低于低温包覆的ＱＤｓ，表现出更长的平均荧光寿命，验证了高温处理对缺陷态的有效抑制。此外，高温包覆的ＱＤｓ具有较低的陷阱态密度，最终制备的ＱＤｓ 电致发光器件展现出优异的光电性能，开启电压为２???? １ Ｖ，最高亮度达３６５ ０００ Ｃｄ／ ｍ２，峰值电流效率为３４ Ｃｄ／ Ａ，且在高电压下仍保持较高的色纯度。这些结果表明了合金ＱＤｓ 在光电应用中具有良好的前景。