ISSN 1009-5624 CN 10-2021/TQ 主管:中国乐凯集团有限公司 主办:北京乐凯科技有限公司
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【摘要】阻变存储器由于其结构简单、运行速度快、功耗低、与互补金属氧化物半导体工艺兼容等优点，近年来得到了广泛的应用。 本文提出了一种通过氮气退火调控氧空位含量，进而提高非晶氧化镓阻变存储器性能的方法。 在磁控溅射的氧化镓阻变存储器中观察到优异的双极电阻开关行为，具有超过 １０^４ 的大记忆窗口、长达 １ ５００ ｓ 的保持时间和 １０^８ 的循环次数。 Ｘ 射线光电子能谱表征表明，氮气退火的氧化镓薄膜电阻开关性能的提高是由于更高的氧空位密度。 这些结果表明了这种器件在未来高密度非易失性存储器应用中的巨大潜力。
