【摘要】由于衬底的限制，目前 Ｇａ２Ｏ３ 基垂直结构器件的研究仍然十分有限，这极大地制约了新型多样化 Ｇａ２Ｏ３ 基器件的发展。本文采用先进的湿法转移技术和激光分子束外延（ｌａｓｅｒ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ，Ｌ⁃ＭＢＥ）技术，解决无法在 ＭｏＴｅ２ 生长单一取向 Ｇａ２Ｏ３薄膜的问题，成功制备出高性能的 Ｇａ２Ｏ３／ ＭｏＴｅ２ 异质结光电探测器，并对其光电性能进行了系统测试与分析。 结果显示，该探测器具有出色的整流特性，其雪崩增益、响应度及外量子效率在－５１ Ｖ 反向偏压下分别达到 １７１. ７６７、１８３. ３４８ Ａ／ Ｗ 和（８. ９６６×１０４）％，展现出在日盲光电探测领域的巨大应用潜力。 本研究不仅为制备高性能光电探测器提供了新方法，也为新型光电材料和器件结构的探索提供了重要参考。