ISSN 1009-5624 CN 10-2021/TQ 主管:中国乐凯集团有限公司 主办:北京乐凯科技有限公司
【摘要】由于衬底的限制,目前 Ga2O3 基垂直结构器件的研究仍然十分有限,这极大地制约了新型多样化 Ga2O3 基器件的发展。本文采用先进的湿法转移技术和激光分子束外延(laser molecular beam epitaxy,L⁃MBE)技术,解决无法在 MoTe2 生长单一取向 Ga2O3薄膜的问题,成功制备出高性能的 Ga2O3/ MoTe2 异质结光电探测器,并对其光电性能进行了系统测试与分析。 结果显示,该探测器具有出色的整流特性,其雪崩增益、响应度及外量子效率在-51 V 反向偏压下分别达到 171. 767、183. 348 A/ W 和(8. 966×104)%,展现出在日盲光电探测领域的巨大应用潜力。 本研究不仅为制备高性能光电探测器提供了新方法,也为新型光电材料和器件结构的探索提供了重要参考。