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光刻工艺的特征参数及其影响因素分析

文青山，黄华佑，杨丹，李运泉

【摘要】光刻胶是半导体制造中关键的材料，用于光刻工艺中转移图案到硅片。随着微电子工艺的发展、曝光光源的不断进步和

器件尺寸的缩小，光刻胶的性能指标正在不断提高，以满足更高的分辨率、灵敏度以及更低的线边粗糙度等工艺要求。本文探讨了光刻胶的工艺特征参数及其影响因素，并提出了光刻胶的未来展望。

【关键字】光刻胶；光刻工艺；工艺参数