【摘要】本文研究了 ｌｉｆｔ⁃ｏｆｆ（揭开－剥离）制程曝光后烘烤温度（ ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋｅ， ＰＥＢ）对负性光阻显影截面 Ｐｒｏｆｉｌｅ（光刻胶结 构）的影响。 结果表明：在保留原有 ＰＥＢ 盘面加热的方式前提下通过增加 ＰＥＢ 盘盖加热功能进行烘烤，通过控制 ＰＥＢ 盘面温度可调 整光阻关键尺寸（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ， ＣＤ）及截面 Ｐｒｏｆｉｌｅ 形貌，通过控制 ＰＥＢ 盘盖加热可调整截面 Ｐｒｏｆｉｌｅ 光阻顶端形貌及强度，可显著 改善负性光阻显影后截面 Ｐｒｏｆｉｌｅ 难以调整的问题。 另外，不同的盘面温度、不同盘盖温度以及不同的显影时间相互配合，可以实现一 种负性光阻产生不同截面光刻胶结构效果，可以实现同种光阻 ｌｉｆｔ⁃ｏｆｆ 制程多样化。