【摘要】采用等离子体增强化学的气相沉积法（ ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＰＥＣＶＤ）工艺在厚度 ３７０ μｍ 的 ４Ｈ⁃ＳｉＣ衬底上生长厚度 ２ μｍ 的 ＳｉＯ２ 薄膜样品，将样品在大气环境下分别经 ６００ ℃ 、７００ ℃ 、８００ ℃ 和 ９００ ℃ 高温处理 １ ｈ，从而研究分析ＳｉＯ２ 薄膜高温性能变化机制。 研究表明，随着处理温度的提高，ＳｉＯ２ 薄膜的晶体形貌由混合的准晶体向单晶转变，薄膜致密性变好。ＳｉＯ２ 薄膜样品的处理条件为环境温度 ８００ ℃ 、处理时间 １ ｈ 时，其薄膜断面非晶态较少，中心应力最小，折射率最大，致密性最好。 随着温度持续升高，ＳｉＯ２ 薄膜的非晶态增多，并出现大量的颗粒聚集，中心应力逐步增大，折射率和致密性稍有降低。