ISSN 1009-5624 CN 10-2021/TQ 主管:中国乐凯集团有限公司 主办:北京乐凯科技有限公司
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【摘要】随着集成电路特征尺寸的不断缩小,设计版图的日益复杂,由于光的衍射或者掩膜版本身的缺陷,导致在复制到晶圆表面的图形发生变形,这种变形包括图案断裂“断路”或相邻图案桥接“短路”。 这种缺陷一般称之为光刻热点,光刻热点已经成为优化掩模设计提高可打印性的主要问题。 本文提出了一种基于 ResNet34 的光刻热点检测方法,使用几何翻转扩增训练数据集。 实验结果表明,与基于深度学习或代表性机器学习的热点检测方法相比,所提方法在 ICCAD 2012 竞赛基准上取得了更好的性能。
