【摘要】本文通过密度泛函理论计算，研究了 Cr3+ 吸附在单层 g-C3N4 表面的吸附、电子结构特性。Cr3+ 诱导单层 g-C3N4 吸附体系，产生了 3 µβ 的磁矩，且 4% 拉应力可以调节磁矩，使之减小到 1 µβ，而 4% 压应变没有调节磁矩作用。m-g-C3N4 以化学吸附方式吸附 Cr3+，其中化学键（N-Cr 键）是共价键与离子键的共同作用。相比于 4% 压应变，4% 拉应力可以促使 m-g-C3N4-Cr 体系在费米能级以下，Cr 原子的 d 轨道参与成键，使得带隙从未施加应变的 1.32 eV 减小到施加拉应变的 0.83 eV，提高了体系导电性，为应变改善 g-C3N4 传感器件检测 Cr3+ 灵敏度给予了理论支持。