铁电场效应晶体管材料设计的研究进展
高 武,李星星,刘礼祥,张志伟,郭伟钦
【摘要】铁电场效应晶体管(FeFET)作为最有潜力的下一代非易失性存储器之一,引起研究人员的广泛关注。本文 系统阐述了 FeFET 的工作原理及结构设计,介绍了 FeFET 结构中铁电材料和缓冲层材料的探索历程及所对应的器件性能。 本文提出了一种新型 FeFET 结构设计,有望改善薄膜之间的界面效应。最后总结了 FeFET 的研究进展,并对未来研究做 出展望。
【关键字】铁电场效应晶体管;非易失性存储器;铁电材料;缓冲层材料;界面效应;薄膜;结构设计;器件性能