ISSN 1009-5624 CN 10-2021/TQ    主管:中国乐凯集团有限公司    主办:北京乐凯科技有限公司

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Ag/FA0.4MA0.6PbBr3-xIx/FTO 存储器件的性能研究
赵志颖

【摘要】通过两步溶液法制备了 FA0.4MA0.6PbBr3-xIx 有机无机钙钛矿薄膜,在薄膜两端添加电极制成存储器件。使用Keithley4200A-SCS 仪器与无光环境探针台对存储器件进行 I-V 循环曲线测试,探究不同成分有机 - 无机钙钛矿薄膜对于器件存储性能的影响。结果表明随着 X 的增大,器件的稳定性开始下降并在 X=2.2 时降至最低。每个器件虽然都存在两个电阻态变化,但是随着 X 的增大器件在发生电阻切换时,电阻的阻值变化越来越小。说明 Br- 不仅对器件的稳定性而且对器件的电阻态变化有较大的影响。

【关键字】RRAM;电阻切换;有机 - 无机钙钛矿;多阻态;溶液法