【摘要】随着现代芯片的功能越来越复杂，导致芯片的尺寸也越来越大，在集成芯片的制造中也凸显了许多成本问题，导致制造成本和设计成本越来越高昂。为了解决这些问题，本文通过芯片模块化的设计方法，把整个芯片的功能块分离成许多小型模块，做成具有高良率、低成本特点的芯粒，3D 堆叠 CMOS 将 PMOS 器件置于 NMOS 器件之上，其占用空间与单个 RibbonFET 相同。NMOS 和 PMOS 栅极使用不同的金属。利用 3D 堆叠的潜在优势意味着解决许多工艺集成挑战，其中一些挑战将扩展 CMOS 制造的极限。本文相信这种 3D 堆叠的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或 CFET（互补场效应晶体管）将是将摩尔定律延伸到下一个十年的关键。