SiNx 表面修饰在剥离技术中的应用
刘海军,张 靖,莫才平,段利华,闫应星,黄晓峰
【摘要】针对氮化硅表面制作的剥离胶膜底切宽度不稳定的问题,采用碱溶液处理 SiNx 表面,研究 SiNx 表面状态与剥离胶膜底切宽度的关系。结果表明 SiNx 表面处理后,胶膜底切宽度稳定性得到显著提高,绝对变化量 1.8 µm 减小到 0.2 µm,相对变化量从 177.2% 降低到 15.2%,制备出较好的剥离胶膜形貌,解决了 InGaAs 芯片批产过程中出现的电极图形剥离效果不稳定的问题。
【关键字】SiNx;底切宽度;表面处理;稳定性;剥离