【摘要】实验采用电子回旋共振 - 等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR-PEMOCVD）技术，分别以高纯氮气（N2）和三甲基镓（TMGa）作为氮源和镓源，改变 TMGa 流量，在镀锆 (Zr) 高硼硅玻璃衬底上低温沉积 GaN 薄膜，并利用反射高能电子衍射（RHEED）、X 射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和室温光致发光（PL）谱对不同 TMGa 流量下沉积的 GaN 薄膜样品的结晶取向、内部应力、表面形貌以及光致发光性能进行了检测。结果表明，当 TMGa 流量为 1.6sccm 时，低温沉积得到的 GaN 薄膜呈现高度的 a 轴择优取向，结晶性较好，内部应力得到了一定程度的释放，表面形貌呈现岛状生长，且岛的大小比较均匀。GaN 薄膜的室温光致发光峰发生了一定程度的红移。