ISSN 1009-5624 CN 10-2021/TQ 主管:中国乐凯集团有限公司 主办:北京乐凯科技有限公司
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【摘要】汞探针配合各型号的仪表，可直接在半导体上形成肖特基势垒测得硅外延层的载流子浓度，也可以形成MOS 电容结构 , 对 CVD 工艺等进行监控，利用汞探针测量技术可以有效评估各种半导体材料制造工艺。目前，国内外对汞探针的研究正处于成熟发展的阶段，许多欧美厂商生产的汞探针台和测试仪表已达到较高水平，能快速、方便且无损地对半导体材料进行测量分析，精密度不断提高，我国也在不断完善各种测量标准，将其广泛应用于半导体材料测试的研究中。本文从汞探针的基本结构和原理出发，简要总结了汞探针 CV 测试在半导体材料研究中的典型应用。
