ISSN 1009-5624 CN 10-2021/TQ 主管:中国乐凯集团有限公司 主办:北京乐凯科技有限公司
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【摘要】本文利用 X 射线光电子能谱法 (XPS) 研究了 ε-Ga2O3/4H-SiC 异质结的能带排列 (band alignment)。实验所用的样品均采用金属有机化合物化学气相沉积 (MOCVD) 制得。通过紫外 - 可见吸收光谱测量，得到 SiC 和 Ga2O3的光学带隙分别为 3.29 eV 与 4.80 eV。Ga2O3/SiC 界面的价带偏移量与导带偏移量分别为 0.61 eV 和 0.9 eV。Ga2O3/SiC 异质结表现为Ⅰ型能带排列。
